Разработки IT – микросхемы

Для изготовления микросхем используют как правило специальные кремневые монокристаллические пластинки, диаметр которых составляет не больше 60 мм, а толщина – 0,4 мм. В качестве непосредственных элементов для микросхемы используют полевые и биполярные транзисторы, резисторы, диоды и конденсаторы специального назначения, которые формирует в полупроводниковые приборы. Все необходимые межсоединения используют в качестве дорожек из алюминия на окисленную поверхность кремния. Данная пластинка должна иметь окна окисла именно в тех местах, где и должен происходить контакт кремния с дорожками. Так же создаются расширенные участки для того, чтобы можно было соединять элементы микросхемы с ее выводами и входами. Такие расширенные участки создаются на всех проводящих дорожках – контактные площадки. Бывают случаи, когда с помощью напыления создаются резисторы и некие конденсаторы.

Изготовление всех полупроводниковых схем происходит специальным групповым методом, с помощью которого создаются одинаковые функциональные структуры. При этом до двадцати пластин подвергаются одновременной обработке. После того, как формирование элементов и межсоединений закончено пластину разрезают на маленькие отдельные так называемые платы – кристаллы. Такой кристалл, как правило, содержит одну функциональную структуру. Кристалл закрепляют на основе корпуса, все контакты соединяют с выводами схемы с помощью маленьких и тонких проводников. После всего этого на основание надевают крышку и герметизируют. Именно после этого будет обеспечена полная защита кристалла от непосредственных воздействий кристалла.

Микросхемы различают по типам, которые предназначены для обработки сигналов – аналоговые и цифровые, а так же аналого-цифровые. Так же в практике насчитывается и отдельный класс микросхем, которые не связаны межу собой по функциональным возможностям, но их непосредственное использование различает несколько отдельных элементов, в качестве их изготовления. Особенности устройства микросхем обусловлены необходимостью изоляции всех существующих элементов от самого тела кристалла до непосредственной проводимости. Изоляция делается с помощью либо дополнительного дырочного перехода, либо с помощью тонкого диэлектрика. Первый способ наиболее удобен и распространен, а так же является самым дешевым, по сравнению с другим.